Strutture avanzate Produzione efficienteSecondo i rapporti, il produttore nazionale di apparecchiature per semiconduttori Zhongsheng Optoelectronics Equipment (Shanghai) Co., Ltd. (di seguito denominata "Zhongsheng Optoelectronics") ha lanciato una nuova tecnologia MOCVD e modelli per applicazioni LED a raggi ultravioletti profondi, riducendo ulteriormente i costi delle apparecchiature e aumentando la capacità di produzione .
Secondo i dati, Zhongsheng Optoelectronics è stata fondata nel maggio 2011 e ha sede a Zhangjiang High-tech Park, Pudong, Shanghai. Si concentra sulla ricerca, sviluppo e produzione di apparecchiature MOCVD per la produzione di componenti a semiconduttore LED e di seconda/terza generazione. È una delle poche tecnologie di base indipendenti di proprietà nazionale. Una delle più grandi aziende manifatturiere MOCVD. Inoltre, secondo People's Daily Online, Zhongsheng Optoelectronics e China Microelectronics hanno rotto una volta il monopolio a lungo termine della tedesca Aixtron e dell'americana Veeco sul mercato cinese nel campo dell'illuminazione a LED.
Dal 2016 al 2017, Zhongsheng Optoelectronics e Jetson Semiconductor, uno dei principali produttori nazionali di LED ultravioletti profondi, hanno sviluppato e industrializzato congiuntamente la prima apparecchiatura MOCVD ultravioletta profonda in Cina: ProMaxy® UV, che è diventata la capacità di ricerca, sviluppo e produzione di LED ultravioletti profondi tecnologia dal 2020. Uno dei principali modelli di espansione. Di recente, Semiconductor Industry Network ha riferito che Zhongsheng Optoelectronics ha fatto nuove scoperte nelle apparecchiature MOCVD a ultravioletti profondi.
È stato riferito che con la continua espansione e promozione delle applicazioni LED a raggi ultravioletti profondi, il mercato ha avanzato requisiti più elevati per l'efficienza di conversione di potenza, la resa e i costi di produzione dei prodotti LED a raggi ultravioletti profondi. Dal punto di vista dell'epitassia, la qualità del cristallo del materiale, le caratteristiche della morfologia superficiale e il controllo delle crepe della crescita epitassiale di AlN (azoto di alluminio) per i LED a raggi ultravioletti profondi hanno un impatto significativo sul miglioramento dell'efficienza e della resa di conversione di potenza e l'apparecchiatura MOCVD viene utilizzata come tecnologia di epitassia. Anche le apparecchiature principali devono essere aggiornate per soddisfare requisiti più elevati.
A tal fine, sulla base della tecnologia di base dell'innovazione indipendente dai raggi UV ProMaxy®, Zhongsheng Optoelectronics ha ulteriormente innovato e ottimizzato il controllo del campo di temperatura della camera di reazione, la trasmissione e la distribuzione uniforme del gas di reazione e altre tecnologie e ha stabilito un'alta qualità AlN che può essere prodotto epitassialmente. La nuova tecnologia di base MOCVD in grado di espandere la capacità produttiva (almeno 15x2) e ridurre i costi di produzione.
Allo stesso tempo, al fine di ridurre ulteriormente i costi delle apparecchiature e aumentare la capacità di produzione, Zhongsheng Optoelectronics ha anche lanciato un modello ProMaxy® UV che può essere configurato con 4 camere di reazione. Questo modello non solo può produrre epitassialmente l'intera struttura dei LED ultravioletti profondi in ciascuna cavità, ma può anche integrare la produzione epitassiale di substrati AlN e strutture LED in cavità separate.
Attualmente, Jayson Semiconductor dispone di 4 apparecchiature MOCVD UV profonde di Zhongsheng Optoelectronics, utilizzate per la produzione in serie di prodotti epitassiali per soddisfare le esigenze di applicazioni LED UV profonde come sterilizzazione medica, elettrodomestici e purificazione dell'acqua. Jason Semiconductor ha affermato che utilizzando la nuova tecnologia MOCVD di Zhongsheng Optoelectronics e i modelli di configurazione multi-cavità, è possibile ottenere substrati AlN di alta qualità necessari per la produzione di massa, aumentando anche significativamente la capacità di produzione e riducendo i costi di produzione dell'epitassia.
È stato riferito che oltre a Jason Semiconductor, molti clienti domestici hanno adottato la nuova tecnologia MOCVD di Zhongsheng Optoelectronics e ottenuto substrati AlN di alta qualità ea basso costo. I vantaggi specifici sono: caratteristiche della superficie Rq<0.5nm, edge="" cracks="" controlled="" at=""><2mm. zhongsheng="" optoelectronics="" said="" that="" in="" the="" future,="" it="" will="" launch="" new="" solutions="" through="" continuous="" innovation="" to="" meet="" the="" growing="" needs="" of="" deep="" ultraviolet="" led="" technology="" development="" and="" mass="">
Vale anche la pena notare che Zhongsheng Optoelectronics ha gradualmente ampliato i propri investimenti nel campo delle apparecchiature MOCVD a semiconduttore di terza generazione negli ultimi anni. Nel 2020, le apparecchiature ProMaxy® PD di Zhongsheng Optoelectronics per dispositivi discreti GaN a semiconduttore di terza generazione sono entrate nella fase di valutazione e verifica del mercato. Nell'agosto dello stesso anno, Zhongsheng Optoelectronics ha ottenuto un capitale di 113 milioni di yuan guidato da Shanghai Pudong Science and Technology Group Co., Ltd. per la ricerca, lo sviluppo e la produzione di apparecchiature di fascia alta per i dispositivi discreti a semiconduttore di seconda/terza generazione .
Che si tratti di un'applicazione LED a ultravioletti profondi o di un'applicazione a semiconduttore di terza generazione, Zhongsheng Optoelectronics ha ottenuto il riconoscimento e il supporto del mercato dei capitali e del lato applicativo. In futuro, si prevede che il sistema di apparecchiature MOCVD basato sulla propria tecnologia di base sarà migliorato attraverso capacità innovative di ricerca e sviluppo e finanziamento. Il miglioramento delle apparecchiature MOCVD aumenterà la localizzazione delle apparecchiature MOCVD.